物聯網(IoT)應用將帶動全耗盡型(Fully Detleted)製程技術加速成長。為滿足低功耗、低成本、高效能之設計需求，格羅方德(GlobalFoundries)除持續發展14奈米及7奈米鰭式電晶體(FinFET)製程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆矽(FD-SOI)市場，並推出22奈米及12奈米FDX製程平台，搶攻物聯網商機。
格羅方德技術長暨全球研發資深副總裁Gary Patton表示，FinFET雖為目前主流製程技術，但也相對複雜且成本高，有些中小型的IC設計公司無法負擔FinFET昂貴的光罩成本。為滿足物聯網產品少量多樣需求，並降低成本，且又要具備一定效能，FD-SOI技術逐漸興起。未來十年5G將會是FD-SOI市場重要的成長推手；另外，行動運算、人工智慧、虛擬實境(VR)/擴增實境(AR)，以及汽車電子等應用市場，也都是此一技術應用重點。
Patton進一步指出，物聯網，行動運算和5G的巨大商機，可望加速FDX成長，而FDX和FinFET技術事實上是互補的，並非互相競爭的關係，兩者各有不同的市場定位。一般來說，FinFET適用於較大的裸晶(Die)，FDX適用於較小的裸晶；對於較無成本考量的客戶而言，可使用FinFET以實現高性能與高密度產品，若是有成本考量的客戶，則能採用FDX，以滿足低功耗、低成本及小尺寸需求。
據悉，GlobalFoundries在FD-SOI技術上目前已有兩項產品規劃。首先是22FDX，該產品已於2015年發布，其運作電壓為0.4伏特，可達到超低動態功耗、更低熱效應，以及更精巧的產品尺寸規格。相較於28奈米，22FDX尺寸縮減20%，光罩數目減少10%，功耗比28nm HKMG製程少70%，且單一晶片可以整合RF功能。目前22FDX製程設計套件已於2016年第2季完成，預計2017年第1季可以進入量產。
至於12FDX則號稱可提供與10奈米FinFET製程相當的性能，但是功耗表現更好，成本也比16奈米FinFET低，將適用於行動運算、5G通訊、人工智慧、AR/VR、無人機，以及自動駕駛車輛等應用領域。12FDX製程的客戶投片時程預計在2019上半年。
